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 Experimental Demonstration of the Double-Trench, Buried-P JTE Edge Termination with Short Edge Width and High dV/dt Capability for 1200 V-class SiC Devices 用于1200 V级SiC器件的具有短边宽和高dV/dt能力的双沟槽、埋P JTE边缘终端的实验演示
相关领域
GSM演进的增强数据速率
沟槽
材料科学
光电子学
班级（哲学）
计算机科学
电信
复合材料
图层（电子）
人工智能
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期刊： 作者：Yong Liu; Hao Feng; Xin Peng; Linhua Huang; J.K.O. Sin 出版日期：2024-06-02 |
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