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 Normally-off high-voltage p-GaN gate GaN HFET with carbon-doped buffer 带碳掺杂缓冲器的常关高压p-GaN栅极GaN HFET
相关领域
兴奋剂
击穿电压
缓冲器（光纤）
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| 其它 |
期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者：Oliver Hilt; F. Brunner; E. Cho; A. Knauer; Eldad Bahat‐Treidel; et al 出版日期：2011-05-01 |
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