A 4H-SiC Trench MOSFET with the vertical field plate coupled floating island and two epi-layers

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标题	A 4H-SiC Trench MOSFET with the vertical field plate coupled floating island and two epi-layers 具有垂直场板耦合浮岛和两层外延层的4H-SiC沟槽MOSFET 相关领域电场沟槽击穿电压碳化硅材料科学 MOSFET 电压功勋兴奋剂光电子学电气工程凝聚态物理复合材料物理图层（电子）工程类晶体管量子力学
网址	https://doi.org/10.1145/3573428.3573537
DOI	10.1145/3573428.3573537 doi
其它	期刊：作者：Wangda Wang; Dongqing Hu; Xintian Zhou; Yunpeng Jia; Yu Wu 出版日期：2022-10-21
求助人	wenbo 在 2024-10-10 11:36:53 发布自广东，悬赏 10 积分
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