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标题
Suppressing the vdW Gap‐Induced Tunneling Barrier by Constructing Interfacial Covalent Bonds in 2D Metal–Semiconductor Contacts
通过在二维金属-半导体接触中构建界面共价键抑制vdW间隙诱导的隧穿势垒
相关领域
欧姆接触 材料科学 共价键 悬空债券 量子隧道 半导体 范德瓦尔斯力 费米能级 凝聚态物理 金属键合 金属 纳米技术 光电子学 分子 硅 物理 电子 图层（电子） 量子力学 冶金
网址
https://doi.org/10.1002/adfm.202412773
DOI
10.1002/adfm.202412773 doi
其它 期刊：Advanced Functional Materials
作者：Wenchao Shan; Anqi Shi; Zhengyang Xin; Xiuyun Zhang; Bing Wang; et al
出版日期：2024-09-12
求助人
jiaxu 在 2024-12-23 14:49:02 发布自陕西，悬赏 10 积分
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