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Influence of Etch Profiles on the Leakage Current and Capacitance of 3-D DRAM Storage Capacitors
刻蚀轮廓对三维DRAM存储电容漏电流和电容的影响
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德拉姆 动态随机存取存储器 电容器 电容 材料科学 泄漏（经济） 电气工程 制作 电子工程 光电子学 通用存储器 工程类 半导体存储器 电压 电极 计算机存储器 物理 宏观经济学 病理 经济 量子力学 内存刷新 替代医学 医学
网址
https://doi.org/10.5573/jsts.2019.19.2.208
DOI
10.5573/jsts.2019.19.2.208 doi
其它 期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science
作者：Seongun Shin; Gyu-Han Yoon; Woo Young Choi
出版日期：2019-04-30
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弯弯月亮 在 2024-11-01 09:50:22 发布自湖北，悬赏 10 积分
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