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 Influence of Etch Profiles on the Leakage Current and Capacitance of 3-D DRAM Storage Capacitors 刻蚀轮廓对三维DRAM存储电容漏电流和电容的影响
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Seongun Shin; Gyu-Han Yoon; Woo Young Choi 出版日期：2019-04-30 |
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