Channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride for deep and low-damage doping

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标题	Channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride for deep and low-damage doping 氮化镓中镁离子沟道注入深度低损伤掺杂相关领域离子注入镓材料科学兴奋剂离子镁氮化镓氮化物光电子学冶金化学纳米技术有机化学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac039e
DOI	10.35848/1882-0786/ac039e doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Tomoaki Nishimura; Kiyoji Ikeda; Tetsu Kachi 出版日期：2021-06-01
求助人	Jesslin 在 2024-08-21 10:52:50 发布自广东，悬赏 10 积分
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