Steep Subthreshold Swing Double - Gate Tunnel FET using Source Pocket Engineering: Design Guidelines

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标题	Steep Subthreshold Swing Double - Gate Tunnel FET using Source Pocket Engineering: Design Guidelines 使用源极袋工程的陡亚阈值摆动双栅隧道场效应晶体管：设计指南相关领域摇摆阈下摆动双闸门电气工程阈下传导光电子学工程类材料科学场效应晶体管 MOSFET 晶体管机械工程电压
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.207951
DOI	10.1016/j.micrna.2024.207951 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：Nisha Yadav; Sunil Jadav; Gaurav Saini 出版日期：2024-08-01
求助人	小枝在 2024-09-03 15:22:14 发布自福建，悬赏 10 积分
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