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 Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) interface with nearly ideal capacitance-voltage characteristics by thermal oxidation 热氧化法制备具有接近理想电容-电压特性的SiO2/4H-SiC（0001）界面
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R.H. Kikuchi, K. Kita, Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) interface with nearly ideal capacitance-voltage characteristics by thermal oxidation, Appl. Phys. Lett. 105 (2014) 032106, https://doi.org/10.1063/1.4891166. |
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