Characteristics Improvement of AlGaN/GaN MOS-HEMT by Thickness and Doping Concentration Variation of GaN Doped Layer

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标题	Characteristics Improvement of AlGaN/GaN MOS-HEMT by Thickness and Doping Concentration Variation of GaN Doped Layer GaN掺杂层厚度和掺杂浓度变化对AlGaN/GaN MOS-HEMT特性的改善相关领域跨导高电子迁移率晶体管材料科学光电子学兴奋剂阈值电压晶体管图层（电子）宽禁带半导体电压电气工程纳米技术工程类
网址	https://doi.org/10.1109/wiecon-ece48653.2019.9019994
DOI	10.1109/wiecon-ece48653.2019.9019994 doi
其它	期刊：作者：Nibedita Karmokar; Faiaz Khan; Samia Subrina 出版日期：2019-11-01
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