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 Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method 高温气源法高生长速率生长4H-SiC块体晶体中位错密度的降低
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期刊：Applied Physics Express 作者：Norihiro Hoshino; Isaho Kamata; Takahiro Kanda; Yuichiro Tokuda; Hironari Kuno; et al 出版日期：2020-08-07 |
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