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Optimization and Benchmarking FinFETs and GAA Nanosheet Architectures at 3-nm Technology Node: Impact of Unique Boosters
3纳米技术节点FinFET和GAA纳米片架构的优化和基准测试:独特助推器的影响
相关领域
节点(物理)
材料科学
物理
量子力学
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Krishna K. Bhuwalka; Hao Wu; Wenbo Zhao; G. Rzepa; O. Baumgartner; et al 出版日期:2022-06-08 |
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