Strain Engineering in Si Split-Gate Trench Power MOSFETs by Partial Oxidation of Polysilicon Electrodes

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标题	Strain Engineering in Si Split-Gate Trench Power MOSFETs by Partial Oxidation of Polysilicon Electrodes 多晶硅电极部分氧化在硅裂栅沟槽功率MOSFETs中的应变工程相关领域材料科学应变工程电极拉伤 MOSFET 电气工程光电子学拓扑（电路）物理硅电压量子力学工程类晶体管医学内科学
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2022.3230917
DOI	10.1109/ted.2022.3230917 doi
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