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 Advancing High-Performance Memristors Enabled by Position-Controlled Grain Boundaries in Controllably Grown Star-Shaped MoS2 可控生长星形MoS2中位置控制晶界实现高性能忆阻器
相关领域
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期刊：Nano Letters 作者：Shangui Lan; Fangyuan Zheng; Chang‐Chun Ding; Yukun Hong; Baoyu Wang; et al 出版日期：2024-11-22 |
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