Reducing Side Cutting During Wet Etching of Gate Oxide Layer for 28HK Metal Gate Process

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标题	Reducing Side Cutting During Wet Etching of Gate Oxide Layer for 28HK Metal Gate Process 减少28HK金属栅极工艺中栅极氧化层湿法蚀刻过程中的侧切相关领域蚀刻（微加工）栅氧化层材料科学金属浇口晶体管氧化物光电子学图层（电子）过程（计算）随时间变化的栅氧化层击穿阈值电压电气工程电压电子工程计算机科学纳米技术工程类冶金操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/cstic61820.2024.10532020
DOI	10.1109/cstic61820.2024.10532020 doi
其它	期刊：作者：Chunshan Zhao; Wei Zhou; Xiaolin Xu; Yamin Cao; Yansheng Wang 出版日期：2024-03-17
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