标题 |
Simulation Study on SEB Resistance of Silicon-based RESURF LDMOS Device with Drain Buffer Layer
带漏极缓冲层的硅基RECRF LGA器件SEB电阻的模拟研究
相关领域
LDMOS
功率MOSFET
材料科学
击穿电压
电气工程
功率半导体器件
缓冲器(光纤)
半径
MOSFET
图层(电子)
光电子学
电压
计算机科学
晶体管
工程类
复合材料
计算机安全
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DOI | |
其它 |
期刊: 作者:J. P. Jiang; Dongqing Hu; Rongjia Li; Yunpeng Jia; Yu Wu; et al 出版日期:2023-07-27 |
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