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 Ultra low contact resistivity (&lt; 1&#x00D7;10<sup>&#x2212;8</sup> &#x2126;-cm<sup>2</sup>) to In<inf>0.53</inf>Ga<inf>0.47</inf>As fin sidewall (110)/(100) surfaces: Realized with a VLSI processed III&#x2013;V fin TLM structure fabricated with III&#x2013;V on Si substrates 超低接触电阻率（<1 × 10−8Ω-cm2）至In
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期刊：2014 IEEE International Electron Devices Meeting 作者：Rinus T.P. Lee; Y. Ohsawa; C. Huffman; Y. Trickett; G. Nakamura; et al 出版日期：2015-02-24 |
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