An Experimentally Validated TCAD Variability Study of the Relative Performance of In-Ga-Zn-O and Poly-Si-Channel Ferroelectric VNANDs

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标题	An Experimentally Validated TCAD Variability Study of the Relative Performance of In-Ga-Zn-O and Poly-Si-Channel Ferroelectric VNANDs In-Ga-Zn-O和多晶硅沟道铁电VNANDs相对性能的TCAD变异性研究相关领域铁电性频道（广播）材料科学光电子学电子工程计算机科学工程类电信电介质
网址	https://doi.org/10.1109/iedm50854.2024.10873461
DOI	10.1109/iedm50854.2024.10873461 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Mischa Thesberg; Zlatan Stanojević; F. Schanovsky; Jose María González-Medina; G. Rzepa; et al 出版日期：2024-12-07
求助人	华hgger 在 2025-03-17 15:52:09 发布自山西，悬赏 10 积分
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