| 标题 |
 Doping-Optimized Back-illuminated Single-Photon Avalanche Diode in Stacked 40 nm CIS Technology Achieving 60% PDP at 905 nm 掺杂优化的40nm叠层CIS单光子雪崩二极管在905 nm实现60%PDP
相关领域
抖动
二极管
兴奋剂
光子
光电子学
单光子雪崩二极管
材料科学
物理
波长
电压
雪崩二极管
光学
探测器
雪崩光电二极管
电气工程
击穿电压
工程类
量子力学
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| 网址 | |
| DOI |
10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185229
doi
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| 其它 |
期刊： 作者：Eunsung Park; Won-Yong Ha; Doyoon Eom; Dae‐Hwan Ahn; Hee Ju An; et al 出版日期：2023-06-11 |
| 求助人 | |
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