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 The stochastic ferroelectric field-effect transistors-based probabilistic-bits: from device physics analysis to invertible logic applications 基于随机铁电场效应晶体管的概率比特：从器件物理分析到可逆逻辑应用
相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Sheng Luo; Yihan He; Chao Fang; Baofang Cai; Xiao Gong; et al 出版日期：2024-01-05 |
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