β-Ga2O3 MOSFETs on the Si substrate fabricated by the ion-cutting process

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标题	β-Ga2O3 MOSFETs on the Si substrate fabricated by the ion-cutting process 相关领域晶体管阈值电压薄脆饼材料科学基质（水族馆）光电子学 MOSFET 电压离子电气工程工程类化学地质学海洋学有机化学
网址	https://doi.org/10.1007/s11433-020-1533-0
DOI	10.1007/s11433-020-1533-0 doi
其它	期刊：Science China Physics, Mechanics & Astronomy 作者：Yibo Wang; Wenhui Xu; Tiangui You; Fengwen Mu; Haodong Hu; et al 出版日期：2020-04-13
求助人	宗雯在 2023-04-14 16:36:58 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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