Formation of epitaxial Ti-Si-C Ohmic contact on 4H-SiC C face using pulsed-laser annealing

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标题	Formation of epitaxial Ti-Si-C Ohmic contact on 4H-SiC C face using pulsed-laser annealing 脉冲激光退火在4H-SiC C表面形成外延Ti-Si-C欧姆接触相关领域材料科学欧姆接触退火（玻璃）硅化物外延碳化硅接触电阻碳化物光电子学钛冶金硅纳米技术图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/1.4987136
DOI	10.1063/1.4987136 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Milantha de Silva; Teruhisa Kawasaki; Takamichi Miyazaki; Tomoyuki Koganezawa; Shinji Yasuno; et al 出版日期：2017-06-19
求助人	淡然冬灵在 2025-04-10 16:37:57 发布自河南，悬赏 10 积分
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