| 标题 |
 Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors p-GaN的选择性区域升华与AlGaN的再生长结合用于增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管的协集成
相关领域
升华（心理学）
材料科学
光电子学
晶体管
电子迁移率
制作
图层（电子）
纳米技术
电气工程
心理学
医学
工程类
病理
电压
替代医学
心理治疗师
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Solid-state Electronics 作者：Thi Huong Ngo; Yvon Cordier; Sébastien Chenot; Julien Brault; Benjamin Damilano; et al 出版日期：2022-02-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
吃不饱星球球长
寻道图强
豆子
穆紫
鹊起
于芋菊
嗯哼
一一
CipherSage
英姑
丰盛的煎饼
Frank
cc
Jasper
Akim
爆米花
赘婿
所所
NexusExplorer
Luis
皖公网安备34019202002308
