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标题
Unveiling the influence of temperature and interface traps on the performance of source-all-around vertical TFET
揭示温度和界面陷阱对源极全向垂直TFET性能的影响
相关领域
阈下摆动 隧道场效应晶体管 跨导 光电子学 量子隧道 材料科学 摇摆 晶体管 异质结 增益-带宽产品 场效应晶体管 半导体 电气工程 电压 物理 工程类 放大器 运算放大器 CMOS芯片 声学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106201
DOI
10.1016/j.mejo.2024.106201 doi
其它 期刊：Microelectronics Journal
作者：Potharaju Ramesh; Bijit Choudhuri
出版日期：2024-04-16
求助人
李沐唅 在 2024-12-23 17:00:15 发布自贵州，悬赏 10 积分
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