标题 |
On the scaling of subnanometer EOT gate dielectrics for ultimate nano CMOS technology
用于终极纳米CMOS工艺的亚纳米EOT栅介质的缩放
相关领域
CMOS芯片
缩放比例
材料科学
电介质
纳米-
纳米电子学
纳米技术
光电子学
复合材料
数学
几何学
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其它 |
期刊:Microelectronic Engineering 作者:Hei Wong; Hiroshi Iwai 出版日期:2015-02-18 |
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