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 Concept of rewritable organic ferroelectric random access memory in two lateral transistors-in-one cell architecture 两个横向晶体管在一个单元结构中的可重写有机铁电随机存取存储器的概念
相关领域
有机场效应晶体管
铁电性
晶体管
材料科学
光电子学
电介质
非易失性存储器
场效应晶体管
栅极电介质
电气工程
电压
工程类
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| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Min‐Hoi Kim; Gyu Jeong Lee; Chang‐Min Keum; Sin‐Doo Lee 出版日期：2014-01-15 |
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