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 Optimisation of a carbon doped buffer layer for AlGaN/GaN HEMT devices AlGaN/GaN HEMT器件碳掺杂缓冲层的优化
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Piero Gamarra; C. Lacam; M. Tordjman; J. Splettstößer; B. Schauwecker; et al 出版日期：2014-10-23 |
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