Re-engineering transition layers in AlGaN/GaN HEMT on Si for high voltage applications

求助中

文献求助详情

标题	Re-engineering transition layers in AlGaN/GaN HEMT on Si for high voltage applications 用于高压应用的Si上AlGaN/GaN HEMT中过渡层的再造相关领域材料科学光电子学高电子迁移率晶体管兴奋剂化学气相沉积泄漏（经济）金属有机气相外延宽禁带半导体硅阻挡层图层（电子）外延晶体管电压纳米技术电气工程经济宏观经济学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0045952
DOI	10.1063/5.0045952 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Nayana Remesh; Hareesh Chandrasekar; Anirudh Venugopalrao; Srinivasan Raghavan; Rangarajan Muralidharan; et al 出版日期：2021-08-17
求助人	liuchuck 在 2025-02-24 16:00:59 发布自中国，悬赏 10 积分
下载	暂无链接，等待应助者上传
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

下个求助

求助 / 应助时间线

现在，等待您上传文献

当前有 1 位研友正在围观本求助： liuchuck

对不起，您需要登录才可以上传文件。
进入登录页面
2小时前

科研通AI2.0 机器人未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载

16:01:01 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载

16:00:59 科研通AI机器人（英国伦敦）收到请求，开始寻找文献

16:00:59 已向机器人发送请求
2小时前

liuchuck 求助人 Lv11 发起了本次求助

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: 脑洞疼上传了应助文件

1秒前; 阿宁完成签到，获得积分10

3秒前; 思源的应助被gggggd采纳，获得10

3秒前; 慕青的应助被追寻荔枝采纳，获得10

5秒前; 今后上传了应助文件

6秒前; 爆米花上传了应助文件

6秒前; 桐桐的应助被aging00采纳，获得10

6秒前; Krui发布了新的文献求助10

6秒前; sunran0发布了新的文献求助10

6秒前; 英姑上传了应助文件

7秒前; 仙女完成签到，获得积分10

8秒前; cc完成签到，获得积分10

8秒前; orixero上传了应助文件

9秒前; Rz完成签到，获得积分10

9秒前; 万能图书馆的应助被谨慎的咖啡豆采纳，获得10

10秒前; 田様的应助被谨慎的咖啡豆采纳，获得10

10秒前; yuanyuan发布了新的文献求助20

10秒前; 阿宁发布了新的文献求助10

11秒前; 林途发布了新的文献求助10

12秒前; 卡他发布了新的文献求助10

12秒前; YYOO发布了新的文献求助10

12秒前; 爆米花上传了应助文件

12秒前; 共享精神上传了应助文件

13秒前; wumeng完成签到，获得积分10

14秒前; Rz发布了新的文献求助10

14秒前; 清爽的秀完成签到，获得积分20

15秒前; 傻傻的孤云发布了新的文献求助10

16秒前; 香蕉觅云上传了应助文件

16秒前; xiekunwhy完成签到，获得积分10

17秒前; 小白上传了应助文件

18秒前; luogrou发布了新的文献求助10

19秒前; Akim上传了应助文件

19秒前; Antares发布了新的文献求助10

19秒前; SCINEXUS的应助被qin采纳，获得50

19秒前; 玛琳卡迪马发布了新的文献求助10

19秒前; 爆米花的应助被筱姐姐采纳，获得10

20秒前; 思源上传了应助文件

22秒前; asdfqwer上传了应助文件

22秒前; 英姑的应助被sober123采纳，获得10

23秒前; 科目三的应助被柒柒采纳，获得10

23秒前