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4H to 3C Polytypic Transformation in Al+ Implanted SiC During High Temperature Annealing
Al+注入SiC高温退火过程中4H到3C的多型相变
相关领域
材料科学
成核
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期刊:Electronic Materials Letters 作者:Lydia Kuebler; Eli Hershkovitz; D. Kouzminov; H.‐J. Gossmann; Supakit Charnvanichborikarn; et al 出版日期:2023-12-02 |
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