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Enhanced Synaptic Memory Window and Linearity in Planar In2Se3 Ferroelectric Junctions
平面In2Se3铁电结的增强突触记忆窗口和线性
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神经形态工程学
材料科学
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期刊:Advanced Materials 作者:Yu‐Rim Jeon; Dong-Yoon Kim; Chandan Biswas; Nicholas D. Ignacio; Patrick Carmichael; et al 出版日期:2024-12-20 |
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