New Planar 4.5 kV Split-gate (SG) Si-IGBT Device for Improved Switching Characteristics and High Frequency Operation

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标题	New Planar 4.5 kV Split-gate (SG) Si-IGBT Device for Improved Switching Characteristics and High Frequency Operation 新型平面4.5 kV分裂栅（SG）Si-IGBT器件，用于改善开关特性和高频工作
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/10653931
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	ppboyindream 在 2024-11-26 16:51:53 发布自上海，悬赏 10 积分
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