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 Effect of different pulse modes during Cl2/Ar inductively coupled plasma etching on the characteristics of nanoscale silicon trench formation Cl2/Ar电感耦合等离子体刻蚀中不同脉冲模式对纳米硅沟槽形成特性的影响
相关领域
蚀刻（微加工）
沟槽
硅
感应耦合等离子体
选择性
材料科学
纳米尺度
光电子学
等离子体
分析化学（期刊）
脉搏（音乐）
图层（电子）
化学
纳米技术
光学
探测器
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物理
生物化学
催化作用
色谱法
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期刊：Applied Surface Science 作者：Hee‐Ju Kim; Long Wen; Doo San Kim; Ki Hyun Kim; Jong Woo Hong; et al 出版日期：2022-05-10 |
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