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Study on relation between interface trap creation and MOSFET degradation under channel hot carrier stressing at cryogenic temperature
低温沟道热载流子应力下界面陷阱产生与MOSFET退化关系的研究
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Tatsuya Suzuki; Yoshiyuki Miyaki; Yuichiro Mitani 出版日期:2024-02-21 |
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