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 Intrinsic ion migration-induced susceptible two-dimensional phase-transition memristor with ultralow power consumption 具有超低功耗的本征离子迁移诱导敏感二维相变忆阻器
相关领域
功率消耗
记忆电阻器
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期刊：Science Bulletin 作者：L. Q. Qin; Yimeng Yu; Fang Cheng; Yu-Jie Liu; Kaichen Zhu; et al 出版日期：2025-03-01 |
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