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标题
(Invited) Activation and Deactivation in Ultra-Highly Doped n-Type Epitaxy for nMOS Applications
用于nMOS应用的超高掺杂n型外延中的（邀请）激活和去激活
相关领域
NMOS逻辑 兴奋剂 外延 掺杂剂 材料科学 空位缺陷 掺杂剂活化 极限抗拉强度 硅 扩散 光电子学 接触电阻 扩展阻力剖面 纳米技术 复合材料 化学 结晶学 电气工程 工程类 电压 晶体管 物理 热力学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1149/09805.0239ecst
DOI
10.1149/09805.0239ecst doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Zhiyuan Ye; Miao-Chun Chen; Flora Chang; Chen-Ying Wu; Xuebin Li; et al
出版日期：2020-09-08
求助人
AARON 在 2025-04-26 13:50:58 发布自广东，悬赏 10 积分
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