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 Understanding the Mechanism of SiC Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Developing Routes toward SiC Atomic Layer Deposition (ALD) with Density Functional Theory 用密度泛函理论理解SiC等离子体增强化学气相沉积（PECVD）机理和开发SiC原子层沉积（ALD）途径
相关领域
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Ekaterina A. Filatova; Dennis M. Hausmann; Simon D. Elliott 出版日期：2018-04-10 |
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