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 Defects at the Si/SiO2 interface: Their nature and behaviour in technological processes and stress Si/SiO2界面缺陷：它们在工艺过程和应力中的性质和行为
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期刊：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment 作者：W. Füssel; M. Schmidt; H. Angermann; G. Mende; H. Flietner 出版日期：1996-08-01 |
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