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Manipulating precursors of group-III nitrides for high-Al-content p-AlGaN toward efficient deep ultraviolet light emitters
高Al含量p-AlGaN的III族氮化物前驱体向高效深紫外光发射体的调控
相关领域
氮化物
紫外线
材料科学
群(周期表)
宽禁带半导体
光电子学
化学
纳米技术
有机化学
图层(电子)
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Ziqi Zhang; Hansong Geng; Zhenxing Lv; Bin Tang; Xu Liu; et al 出版日期:2024-12-09 |
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