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Role of native point defects and Hg impurities in the electronic properties of Bi4I4
原生点缺陷和Hg杂质在Bi4I4电子性质中的作用
相关领域
点(几何)
杂质
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几何学
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期刊:Physical review. B./Physical review. B 作者:Gustavo H. Cassemiro; C. David Hinostroza; Leandro R. de Faria; D. A. Mayoh; Jie Liu; et al 出版日期:2024-12-27 |
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