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标题
First Demonstration of Waferscale Heterogeneous Integration of Ga2O3 MOSFETs on SiC and Si Substrates by Ion-Cutting Process
首次通过离子切割工艺在SiC和Si衬底上实现Ga2O3 MOSFETs的晶圆级异质集成
相关领域
薄脆饼 计算机科学 材料科学 纳米技术
网址
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993501
DOI
10.1109/iedm19573.2019.8993501 doi
其它 期刊：International Electron Devices Meeting
作者：Wenhui Xu; Yuhao Zhang; Yue Hao; Xi Wang; Yibo Wang; et al
出版日期：2019-12-01
求助人
beleve 在 2024-12-23 13:30:23 发布自吉林，悬赏 10 积分
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