| 标题 |
 Coexistence of Small Threshold Voltage Instability and High Channel Mobility in 4H-SiC($000\bar{1}$) Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors 4H-SiC（$000\bar{1}$）金属氧化物半导体场效应晶体管中小阈值电压不稳定性和高沟道迁移率的共存
相关领域
MOSFET
凝聚态物理
跨导
电子迁移率
半导体
频道（广播）
负偏压温度不稳定性
兴奋剂
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Express 作者：Mitsuo Okamoto; Youichi Makifuchi; Miwako Iijima; Yoshiyuki Sakai; Noriyuki Iwamuro; et al 出版日期：2012-04-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
渔舟唱晚
无名老大
杳鸢
吡咯爱成环
Candice
Yifan2024
半柚
VDC
tuanheqi
互助遵法尚德
嗯哼
不配.
糟糕的铁锤
模糊中正
cocolu
Arjun
David
peili
飞翔的企鹅
Gauss
皖公网安备34019202002308
