Expanding the dose window of step-etched space-modulated JTE for ultrahigh voltage 4H-SiC devices

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标题	Expanding the dose window of step-etched space-modulated JTE for ultrahigh voltage 4H-SiC devices 扩展超高压4H-SiC器件阶梯刻蚀空间调制JTE的剂量窗口相关领域窗口（计算）材料科学电压光电子学空格（标点符号）碳化硅电子工程电气工程计算机科学工程类操作系统冶金
网址	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106387
DOI	10.1016/j.mejo.2024.106387 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Lixin Geng; Ruifeng Yue; Yan Wang 出版日期：2024-08-25
求助人	Rex 在 2024-12-16 10:12:15 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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