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Improved SiC Power MOSFET Model Considering Nonlinear Junction Capacitances
考虑非线性结电容的SiC功率MOSFET改进模型
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期刊:IEEE Transactions on Power Electronics 作者:Zhuolin Duan; Tao Fan; Xuhui Wen; Dong Zhang 出版日期:2017-04-07 |
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