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 Fully coupled 3-D device simulation of negative capacitance FinFETs for sub 10 nm integration 用于亚10 nm集成的负电容FinFET的全耦合三维器件模拟
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Hiroyuki Ota; Tsutomu Ikegami; Junichi Hattori; Koichi Fukuda; Shinji Migita; et al 出版日期：2016-12-01 |
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