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 Quantum barriers with a polarization self-screening effect for GaN-based VCSELs to increase the electron-hole stimulated recombination and output performance 具有极化自屏蔽效应的GaN基VCSEL量子势垒提高电子-空穴受激复合和输出性能
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期刊：Optical Materials Express 作者：Yuanbin Gao; Chunshuang Chu; Sheng Hang; Yonghui Zhang; Zi‐Hui Zhang; et al 出版日期：2021-10-27 |
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