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 Enhancement-mode Ga2O3 wrap-gate fin field-effect transistors on native (100) β-Ga2O3 substrate with high breakdown voltage 高击穿电压天然（100）β-Ga2O3衬底上的增强型Ga2O3缠绕栅鳍片场效应晶体管
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Kelson D. Chabak; Neil Moser; Andrew J. Green; Dennis E. Walker; Stephen E. Tetlak; et al 出版日期：2016-11-21 |
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