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标题
Integration of Hafnium Oxide on Epitaxial SiGe for p-type Ferroelectric FET Application
用于p型铁电场效应管应用的外延SiGe上氧化铪的集成
相关领域
铁电性 材料科学 光电子学 退火（玻璃） 晶体管 CMOS芯片 外延 铪 硅 金属浇口 场效应晶体管 氧化物 硅锗 纳米技术 电气工程 栅氧化层 电子工程 图层（电子） 工程类 锆 冶金 电介质 电压
网址
https://doi.org/10.1109/led.2020.3031308
DOI
10.1109/led.2020.3031308 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Maximilian Lederer; Franz Müller; Kati Kühnel; Ricardo Olivo; Konstantin Mertens; et al
出版日期：2020-10-15
求助人
YY 在 2025-02-20 13:06:57 发布自河南，悬赏 10 积分
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