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MOCVD growth of β-Ga2O3 with fast growth rates (>4.3 μm/h), low controllable doping, and superior transport properties
β-Ga2O3的MOCVD生长具有快速生长速率(>4.3 μ m/h)、低可控掺杂和优异输运性能
相关领域
金属有机气相外延
兴奋剂
材料科学
增长率
化学
光电子学
纳米技术
外延
数学
几何学
图层(电子)
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Dong Su Yu; Lingyu Meng; Hongping Zhao 出版日期:2024-12-09 |
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