标题 |
Improvement of device characteristics of plasma-treated indium gallium zinc oxide thin-film transistors through thermal annealing
热退火改善等离子体处理的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的器件特性
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
电子迁移率
无定形固体
场效应
铟
退火(玻璃)
表面粗糙度
光电子学
等离子体
分析化学(期刊)
薄膜
复合材料
纳米技术
化学
图层(电子)
结晶学
色谱法
量子力学
物理
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Weisheng Liu; Chih‐Hao Hsu; Yu Jiang; Yi-Chun Lai; Hsing‐Chun Kuo 出版日期:2021-02-26 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|