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 High Channel Conductivity, Breakdown Field Strength, and Low Current Collapse in AlGaN/GaN/Si <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\delta$ </tex-math> </inline-formula>-Doped AlGaN/GaN:C HEMTs AlGaN/GaN/Si
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ling Yang; Meng Zhang; Bin Hou; Minhan Mi; Mei Wu; et al 出版日期：2019-01-14 |
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