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 C-Si interface on SiO2/(1 1 1) diamond p-MOSFETs with high mobility and excellent normally-off operation SiO2/（1 1 1）金刚石P-MOSFET上的C-Si界面具有高迁移率和优异的常关工作
相关领域
材料科学
X射线光电子能谱
高分辨率透射电子显微镜
钻石
光电子学
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分析化学（期刊）
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期刊：Applied Surface Science 作者：Xiaohua Zhu; Te Bi; Xiaolu Yuan; Yuhao Chang; Runming Zhang; et al 出版日期：2022-04-11 |
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